Samsung начинает массовое производство памяти HBM4

Samsung объявила о старте массового производства и поставок своей новейшей памяти HBM4, став первой в мире компанией, реализовавшей эту технологию на уровне коммерческого продукта. Основной особенностью новинки является применение прогрессивного 4 нм техпроцесса для логического слоя в сочетании с DRAM шестого поколения класса 10 нм (1c). Данные улучшения обеспечили рекордные технические характеристики без необходимости кардинально перепроектировать архитектуру.
Скорость передачи данных составила 11,7 Гбит/с, с максимальным значением до 13 Гбит/с. Пропускная способность достигла 3,3 ТБ/с на стек, что более чем в 2,7 раза превышает аналогичные показатели HBM3E. Эти характеристики особенно важны для устранения ограничений при обучении крупных языковых моделей искусственного интеллекта. Кроме того, несмотря на удвоение количества выводов (с 1024 до 2048), удалось увеличить энергоэффективность на 40%.
На данный момент компания предлагает 12-слойные решения объемом 24 и 36 ГБ, а в ближайшем будущем планирует выпустить и 16-слойные модули объемом 48 ГБ.
Samsung ожидает резкий рост спроса на свою память: прогнозируется, что к 2026 году продажи HBM увеличатся более чем в три раза по сравнению с 2025 годом. Также компания намерена начать тестирование улучшенной версии HBM4E во второй половине 2026 года и с 2027 года перейти к производству чипов памяти по индивидуальным требованиям клиентов.